买卖IC网 >> 产品目录 >> BLF6G10-45 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLF6G10-45

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 13 A
闸/源击穿电压 - 0.5 V, 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 CDFM
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 BLF6G10-45
BLF6G10-45,112
BLF6G10-45,135
BLF6G10-45/T3
BLF6G10-45K
BLF6G10L-200BRN,11
供应商
公司名
电话
深圳市深美诺电子科技有限公司 82525918 李燕兵
北京首天伟业科技有限公司 010-62565447 刘先生
深圳廊盛科技有限公司 18229386512 李小姐
深圳廊盛科技有限公司 18682365538 严艺浦
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市华诺星科技有限公司 18998919871 廖小姐
深圳市泽芯微科技有限公司 0755-82730283 柯小姐
深圳市金嘉旭贸易有限公司 0755-83259964 金
深圳市新纳斯科技有限公司 0755-83635532 王小姐
深圳市粤科源兴科技有限公司 13392885468 谢先生
  • BLF6G10-45 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价